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FQD10N20LTM

FQD10N20LTM

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onsemi

MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252

compliant

FQD10N20LTM 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.43782 -
5,000 $0.41714 -
12,500 $0.40236 -
25,000 $0.40021 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Last Time Buy
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 7.6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 360mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 17 nC @ 5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 830 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 51W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D-Pak
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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