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FQD12N20LTM-F085P

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onsemi

MOSFET N-CH 200V 9A TO252

非準拠

FQD12N20LTM-F085P 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.85239 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Not For New Designs
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 280mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 21 nC @ 5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1080 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 55W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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