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FQD19N10TM

FQD19N10TM

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK

非準拠

FQD19N10TM 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.39732 -
5,000 $0.37139 -
12,500 $0.35842 -
25,000 $0.35134 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Last Time Buy
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 15.6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 100mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (最大) ±25V
入力容量(ciss)(最大)@vds 780 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

BUK7Y20-30B,115
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$0 $/ピース
FDD5N50NZTM
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NVMFS5C442NLAFT3G
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IXTH1N300P3HV
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NTD360N80S3Z
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NVMFS6H801NT1G
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