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FQD4N20LTM

FQD4N20LTM

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onsemi

MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK

compliant

FQD4N20LTM 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3.2A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.35Ohm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 5.2 nC @ 5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 310 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 30W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

AOB416
FDS4435
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FQD10N20CTF
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SI4845DY-T1-E3
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NTMFS4982NFT1G
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