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FQD4N20TF

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onsemi

MOSFET N-CH 200V 3A DPAK

FQD4N20TF データシート

compliant

FQD4N20TF 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.4Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 6.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 220 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 30W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

NTMFS4847NT3G
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NVMFS5C442NAFT3G
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IXFR24N90Q
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IRF7204TR
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AUIRF3004WL
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PSMN1R5-30BLE118
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$0 $/ピース
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SI8415DB-T1-E1
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$0 $/ピース

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