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FQD5P20TM

FQD5P20TM

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onsemi

MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK

FQD5P20TM データシート

非準拠

FQD5P20TM 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.31408 -
5,000 $0.29358 -
12,500 $0.28333 -
25,000 $0.27774 -
26826 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3.7A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 430 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

IPDH4N03LAG
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APT58M50JU3
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IPI65R420CFD
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TK14A65W5,S5X
IRFZ24PBF-BE3
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SI7386DP-T1-E3
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IRF7601TRPBF
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