ichome.comへようこそ!

logo

FQT7N10LTF

FQT7N10LTF

FQT7N10LTF

onsemi

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4

SOT-23

非準拠

FQT7N10LTF 価格と注文

単価 外貨価格
4,000 $0.20392 -
8,000 $0.19076 -
12,000 $0.17761 -
28,000 $0.16840 -
14 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.7A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 350mOhm @ 850mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 6 nC @ 5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 290 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-223-4
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

NP35N04YUG-E1-AY
STW28NM60ND
STW28NM60ND
$0 $/ピース
SQJQ160E-T1_GE3
SQJQ160E-T1_GE3
$0 $/ピース
G110N06T
G110N06T
$0 $/ピース
TSM180N03CS RLG
SIHB068N60EF-GE3
SIHB068N60EF-GE3
$0 $/ピース
SIHP21N80AE-GE3
SIHP21N80AE-GE3
$0 $/ピース
FW905-TL-E
FW905-TL-E
$0 $/ピース
SI3127DV-T1-GE3
SI3127DV-T1-GE3
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。