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HGT1S10N120BNST

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onsemi

IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

非準拠

HGT1S10N120BNST 価格と注文

単価 外貨価格
800 $1.89606 $1516.848
1,600 $1.61366 -
2,400 $1.54125 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
igbtタイプ NPT
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 1200 V
電流コレクター (ic) (最大) 35 A
電流コレクタパルス(ICM) 80 A
vce(on) (最大) @ vge、ic 2.7V @ 15V, 10A
パワー - 最大 298 W
スイッチングエネルギー 320µJ (on), 800µJ (off)
入力タイプ Standard
ゲートチャージ 100 nC
td (オン/オフ) @ 25°c 23ns/165ns
テスト条件 960V, 10A, 10Ohm, 15V
逆回復時間 (trr) -
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
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関連部品番号

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