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IRFW630BTM-FP001

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onsemi

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

SOT-23

非準拠

IRFW630BTM-FP001 価格と注文

単価 外貨価格
800 $0.55833 $446.664
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Not For New Designs
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 400mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 720 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.13W (Ta), 72W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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