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MMBFJ201_G

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onsemi

INTEGRATED CIRCUIT

非準拠

MMBFJ201_G 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
電圧 - 破壊電圧 (v(br)gss) 40 V
ドレイン-ソース電圧 (vdss) -
電流 - ドレイン (idss) @ vds (vgs=0) 200 µA @ 20 V
消費電流(ID) - 最大 -
電圧 - カットオフ (vgs オフ) @ id 300 mV @ 10 nA
入力容量(ciss)(最大)@vds -
抵抗 - rds(on) -
パワー - 最大 350 mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-3
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