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NDS8852H

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onsemi

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

NDS8852H データシート

非準拠

NDS8852H 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.3A, 3.4A
rds オン (最大) @ id、vgs 80mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.8V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 25nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 300pF @ 15V
パワー - 最大 1W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC
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