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NTAT6H406NT4G

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 175A ATPAK

非準拠

NTAT6H406NT4G 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $1.86810 -
16844 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 175A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 8040 pF @ 40 V
FET機能 -
消費電力(最大) 90W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ DPAK/ATPAK
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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