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NTB082N65S3F

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onsemi

MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK

非準拠

NTB082N65S3F 価格と注文

単価 外貨価格
800 $3.12818 $2502.544
1,600 $2.93041 -
2,400 $2.79198 -
1 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 40A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 82mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 4mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 81 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3410 pF @ 400 V
FET機能 -
消費電力(最大) 313W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

PJMF130N65EC_T0_00001
BUK753R1-40E,127
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SQD50N04-5M6L_GE3
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PHP27NQ11T,127
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VN2450N3-G
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