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NTHD3102CT1G

NTHD3102CT1G

NTHD3102CT1G

onsemi

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A

非準拠

NTHD3102CT1G 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.26318 -
6,000 $0.24503 -
15,000 $0.23595 -
30,000 $0.23100 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4A, 3.1A
rds オン (最大) @ id、vgs 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 7.9nC @ 4.5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 510pF @ 10V
パワー - 最大 1.1W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ ChipFET™
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関連部品番号

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