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NTJD1155LT1G

NTJD1155LT1G

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onsemi

MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363

compliant

NTJD1155LT1G 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.13145 -
6,000 $0.12386 -
15,000 $0.11627 -
30,000 $0.10716 -
75,000 $0.10336 -
1254 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 8V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.3A
rds オン (最大) @ id、vgs 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
入力容量(ciss)(最大)@vds -
パワー - 最大 400mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ SC-88/SC70-6/SOT-363
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関連部品番号

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DMN6066SSD-13
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