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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 30V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 5.5A, 6.3A |
| rds オン (最大) @ id、vgs | 17.4mOhm @ 9A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ id | 2.2V @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 12nC @ 10V |
| 入力容量（ciss）（最大）@vds | 605pF @ 15V |
| パワー - 最大 | 800mW, 810mW |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取り付けタイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-WDFN Exposed Pad |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-WDFN (3x3) |
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