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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Active |
| FETタイプ | N and P-Channel |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 100V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 2.9A (Ta), 4.1A (Tc), 2.4A (Ta), 3.3A (Tc) |
| rds オン (最大) @ id、vgs | 83mOhm @ 1.5A, 10V, 131mOhm @ 1.5A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ id | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 5nC @ 10V, 8.4nC @ 10V |
| 入力容量（ciss）（最大）@vds | 222pF @ 50V, 525pF @ 50V |
| パワー - 最大 | 1.6W (Ta), 3.1W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取り付けタイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SOIC |
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