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NTMD6601NR2G

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onsemi

MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC

非準拠

NTMD6601NR2G 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.53000 $0.53
500 $0.5247 $262.35
1000 $0.5194 $519.4
1500 $0.5141 $771.15
2000 $0.5088 $1017.6
2500 $0.5035 $1258.75
60595 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 80V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.1A
rds オン (最大) @ id、vgs 215mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 15nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 400pF @ 25V
パワー - 最大 600mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC
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