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NTMFD0D9N02P1E

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onsemi

IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP

非準拠

NTMFD0D9N02P1E 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V, 25V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 14A (Ta), 30A (Ta)
rds オン (最大) @ id、vgs 3mOhm @ 20A, 10V, 720µOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 340µA, 2V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 9nC @ 4.5V, 30nC @ 4.5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1400pF @ 15V, 5050pF @ 13V
パワー - 最大 960mW (Ta), 1.04W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ 8-PQFN (5x6)
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関連部品番号

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JANTXV2N7335
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