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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Active |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
FET機能 | Standard |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 25V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc) |
rds オン (最大) @ id、vgs | 3.3mOhm @ 20A, 10V, 1.1mOhm @ 37A, 10V |
vgs(th) (最大) @ id | 2V @ 250µA, 2V @ 800µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 1180pF @ 13V, 3603pF @ 13V |
パワー - 最大 | 960mW (Ta), 1W (Ta) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取り付けタイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) |
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