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NTMSD6N303R2G

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

非準拠

NTMSD6N303R2G 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.43000 $0.43
500 $0.4257 $212.85
1000 $0.4214 $421.4
1500 $0.4171 $625.65
2000 $0.4128 $825.6
2500 $0.4085 $1021.25
130000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 32mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 950 pF @ 24 V
FET機能 Schottky Diode (Isolated)
消費電力(最大) 2W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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関連部品番号

CPH6337-TL-E
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BUK7611-55A,118
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SPD03N60S5XT
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NTMFS1D7N03CGT1G
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NTMS4920NR2G
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DMTH6002LPS-13
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PSMN8R5-60YS,115
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IRF6619
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