ichome.comへようこそ!

logo

NTTFS1D2N02P1E

NTTFS1D2N02P1E

NTTFS1D2N02P1E

onsemi

MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN

非準拠

NTTFS1D2N02P1E 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.87000 $1.87
500 $1.8513 $925.65
1000 $1.8326 $1832.6
1500 $1.8139 $2720.85
2000 $1.7952 $3590.4
2500 $1.7765 $4441.25
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 25 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 23A (Ta), 180A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 934µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 24 nC @ 4.5 V
vgs (最大) +16V, -12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 4040 pF @ 13 V
FET機能 -
消費電力(最大) 820mW (Ta), 52W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-PQFN (3.3x3.3)
パッケージ/ケース 8-PowerWDFN
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

FQD17N08LTF
DMN62D0LFB-7
DMN62D0LFB-7
$0 $/ピース
SIHW70N60EF-GE3
SIHW70N60EF-GE3
$0 $/ピース
SSM3K37FS,LF
IRLML6402TRPBF
IPB080N03L G
IPB080N03L G
$0 $/ピース
IST026N10NM5AUMA1
IPP100N04S2L03AKSA2
TPC8134,LQ(S
IPI65R660CFD
IPI65R660CFD
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。