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NVATS68301PZT4G

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onsemi

MOSFET P-CHANNEL 100V 31A DPAK

非準拠

NVATS68301PZT4G 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $1.02673 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 31A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 75mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 55 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2850 pF @ 20 V
FET機能 -
消費電力(最大) 84W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ DPAK
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

HUF75309D3ST_NL
AON6426
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TP0202K-T1-GE3
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RSS070P05FU6TB
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IRL3715S
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PSMN8R0-30LYC115
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