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NVB110N65S3F

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onsemi

MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3

非準拠

NVB110N65S3F 価格と注文

単価 外貨価格
800 $2.70796 $2166.368
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 30A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 110mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 3mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2560 pF @ 400 V
FET機能 -
消費電力(最大) 240W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK-3 (TO-263-3)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

SQS850EN-T1_GE3
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STF16N60M6
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