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NVD6416ANLT4G-VF01

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3

非準拠

NVD6416ANLT4G-VF01 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.44552 -
5,000 $0.42325 -
12,500 $0.40733 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 19A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 74mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1000 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 71W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ DPAK-3
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

PSMN1R2-25YLC,115
BUK761R4-30E,118
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DMN61D9U-7
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PMZB600UNE315
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IRFU9024NPBF
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