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NVMFS6H801NWFT1G

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN

SOT-23

非準拠

NVMFS6H801NWFT1G 価格と注文

単価 外貨価格
1,500 $1.24713 -
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ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 23A (Ta), 157A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 4120 pF @ 40 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.8W (Ta), 166W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN, 5 Leads
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関連部品番号

BUK954R2-55B,127
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FDB0170N607L
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FQD12N20LTM-F085
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AUIRF2804L
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AUIRF1405-INF
SI7658ADP-T1-GE3
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STF16N65M5
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NVMFS5C468NLAFT1G
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IXTH2N150L
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