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NVMTS0D4N04CTXG

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onsemi

MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW

非準拠

NVMTS0D4N04CTXG 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $2.89674 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 79.8A (Ta), 558A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 0.45mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 251 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 16500 pF @ 20 V
FET機能 -
消費電力(最大) 5W
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-DFNW (8.3x8.4)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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