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NVTFS6H888NTAG

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN

非準拠

NVTFS6H888NTAG 価格と注文

単価 外貨価格
1,500 $0.67699 -
3,000 $0.63186 -
7,500 $0.60027 -
10,500 $0.57770 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.7A (Ta), 12A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 55mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 15µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 4.7 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 220 pF @ 40 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.9W (Ta), 18W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-WDFN (3.3x3.3)
パッケージ/ケース 8-PowerWDFN
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