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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 電圧 - 破壊電圧 (v(br)gss) | 40 V |
| ドレイン-ソース電圧 (vdss) | - |
| 電流 - ドレイン (idss) @ vds (vgs=0) | 200 µA @ 10 V |
| 消費電流（ID） - 最大 | - |
| 電圧 - カットオフ (vgs オフ) @ id | 2 V @ 1 nA |
| 入力容量（ciss）（最大）@vds | 3pF @ 10V |
| 抵抗 - rds(on) | - |
| パワー - 最大 | 350 mW |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取り付けタイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-92-3 |
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