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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
電圧 - 破壊電圧 (v(br)gss) | 30 V |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | - |
電流 - ドレイン (idss) @ vds (vgs=0) | 4 mA @ 15 V |
消費電流(ID) - 最大 | - |
電圧 - カットオフ (vgs オフ) @ id | 6 V @ 1 nA |
入力容量(ciss)(最大)@vds | - |
抵抗 - rds(on) | - |
パワー - 最大 | 625 mW |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取り付けタイプ | Through Hole |
パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-92-3 |
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