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RFD12N06RLESM9A

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA

compliant

RFD12N06RLESM9A 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.40779 -
5,000 $0.38740 -
12,500 $0.37284 -
25,000 $0.37072 -
2486 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 18A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 63mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (最大) ±16V
入力容量(ciss)(最大)@vds 485 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 49W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

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