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SI4435DY

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onsemi

MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC

SI4435DY データシート

compliant

SI4435DY 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.40120 -
5,000 $0.37501 -
12,500 $0.36191 -
25,000 $0.35477 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8.8A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 20mOhm @ 8.8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 24 nC @ 5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1604 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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関連部品番号

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