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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | P-Channel |
| 電圧 - 破壊電圧 (v(br)gss) | - |
| ドレイン-ソース電圧 (vdss) | - |
| 電流 - ドレイン (idss) @ vds (vgs=0) | 600 µA @ 10 V |
| 消費電流（ID） - 最大 | 20 mA |
| 電圧 - カットオフ (vgs オフ) @ id | 1.5 V @ 10 µA |
| 入力容量（ciss）（最大）@vds | 10pF @ 10V |
| 抵抗 - rds(on) | 300 Ohms |
| パワー - 最大 | 300 mW |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取り付けタイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | 3-SSIP |
| サプライヤーデバイスパッケージ | NS-A1 |
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