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PJD16N06A_L2_00001

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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

非準拠

PJD16N06A_L2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.54000 $0.54
500 $0.5346 $267.3
1000 $0.5292 $529.2
1500 $0.5238 $785.7
2000 $0.5184 $1036.8
2500 $0.513 $1282.5
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.4A (Ta), 16A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 50mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 815 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 27W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

IXTA150N15X4-7
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TJ15S06M3L,LXHQ
FQI17P10TU
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AONR36326C
IRFB7545PBF
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FDMC4D9P20X8
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