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PJD18N20_L2_00001

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PJD18N20_L2_00001

200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

compliant

PJD18N20_L2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.00000 $1
500 $0.99 $495
1000 $0.98 $980
1500 $0.97 $1455
2000 $0.96 $1920
2500 $0.95 $2375
65 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 18A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 160mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1017 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 83W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

AOT288L
APT5010JVFR
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IXTA130N15X4
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IRF7749L1TRPBF
IXTN110N20L2
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$0 $/ピース
FDP22N50N
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$0 $/ピース
IXFA102N15T
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