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PJD25N04-AU_L2_000A1

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PJD25N04-AU_L2_000A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJD25N04-AU_L2_000A1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.68000 $0.68
500 $0.6732 $336.6
1000 $0.6664 $666.4
1500 $0.6596 $989.4
2000 $0.6528 $1305.6
2500 $0.646 $1615
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5.9A (Ta), 21A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 32mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 4.4 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 425 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.4W (Ta), 30W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

SIHP180N60E-GE3
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$0 $/ピース
IRFR210TRLPBF
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G3R20MT17K
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IXTY1R4N120P
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$0 $/ピース
STI45N10F7
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$0 $/ピース
UF3C065040T3S
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NTTFS5C453NLTAG
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G3R160MT12J
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APT7F100B
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IRF540
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