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PJD25N06A_L2_00001

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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJD25N06A_L2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.62000 $0.62
500 $0.6138 $306.9
1000 $0.6076 $607.6
1500 $0.6014 $902.1
2000 $0.5952 $1190.4
2500 $0.589 $1472.5
1995 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5.5A (Ta), 25A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 34mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1173 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 40W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

PSMN1R1-30EL,127
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$0 $/ピース
DI035N10PT
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$0 $/ピース
STB35N65M5
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$0 $/ピース
IXFH50N85X
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$0 $/ピース
TSM2307CX RFG
NTE2393
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$0 $/ピース
FDS8672S
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$0 $/ピース
IXFN220N20X3
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$0 $/ピース
SPA20N65C3XK
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$0 $/ピース
ES6U3T2CR
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$0 $/ピース

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