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PJD25N10A_L2_00001

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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

非準拠

PJD25N10A_L2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.81000 $0.81
500 $0.8019 $400.95
1000 $0.7938 $793.8
1500 $0.7857 $1178.55
2000 $0.7776 $1555.2
2500 $0.7695 $1923.75
2995 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.4A (Ta), 25A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 50mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 61 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3601 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 60W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

IRFR1205TRLPBF
APT8030LVFRG
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IXTQ10P50P
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SQ2389ES-T1_BE3
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CSD17556Q5BT
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BUK9Y53-100B,115
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SQD50P04-13L_GE3
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