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PJD2NA60_R2_00001

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600V N-CHANNEL MOSFET

非準拠

PJD2NA60_R2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.74000 $0.74
500 $0.7326 $366.3
1000 $0.7252 $725.2
1500 $0.7178 $1076.7
2000 $0.7104 $1420.8
2500 $0.703 $1757.5
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 5.7 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 257 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) -
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

SQJA60EP-T1_GE3
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SIHH14N65EF-T1-GE3
IRFBC20PBF
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$0 $/ピース
IRFP9140PBF
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BUK6Y19-30PX
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$0 $/ピース
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IPA60R600C6XKSA1

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