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PJD35N06A_L2_00001

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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

非準拠

PJD35N06A_L2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.66000 $0.66
500 $0.6534 $326.7
1000 $0.6468 $646.8
1500 $0.6402 $960.3
2000 $0.6336 $1267.2
2500 $0.627 $1567.5
2830 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.7A (Ta), 35A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 21mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 28 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1680 pF @ 20 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.1W (Ta), 63W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

AOB66613L
DMPH6250SQ-7
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NVMFS4C302NWFT1G
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EMH1405-TL-H
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AO4404B
FDB0190N807L
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$0 $/ピース
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NDT2955
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$0 $/ピース

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