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PJD35P03_L2_00001

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30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJD35P03_L2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.62000 $0.62
500 $0.6138 $306.9
1000 $0.6076 $607.6
1500 $0.6014 $902.1
2000 $0.5952 $1190.4
2500 $0.589 $1472.5
2994 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8.4A (Ta), 35A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 19mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 11 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1169 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 35W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

PMDPB760EN115
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$0 $/ピース
FDMS8460
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$0 $/ピース
FQI5N15TU
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$0 $/ピース
SIS892ADN-T1-GE3
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$0 $/ピース
DMP1009UFDF-13
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$0 $/ピース
IXTT10P60
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$0 $/ピース
BSS138LT3G
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SSM3J143TU,LXHF
TP0610K-T1-E3
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$0 $/ピース
IRF9Z24STRRPBF
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$0 $/ピース

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