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PJD4NA60_R2_00001

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600V N-CHANNEL MOSFET

非準拠

PJD4NA60_R2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.93000 $0.93
500 $0.9207 $460.35
1000 $0.9114 $911.4
1500 $0.9021 $1353.15
2000 $0.8928 $1785.6
2500 $0.8835 $2208.75
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 11.1 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 450 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) -
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

BUK7908-40AIE127
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$0 $/ピース
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IPA70R450P7SXKSA1
PSMN5R0-100XS,127
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$0 $/ピース
IXTP42N15T
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$0 $/ピース
SI4488DY-T1-GE3
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NVMFS5C646NLAFT1G
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