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PJD4NA65H_L2_00001

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650V N-CHANNEL MOSFET

compliant

PJD4NA65H_L2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.64000 $0.64
500 $0.6336 $316.8
1000 $0.6272 $627.2
1500 $0.6208 $931.2
2000 $0.6144 $1228.8
2500 $0.608 $1520
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.75Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 16.1 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 423 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 34W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

SI7431DP-T1-E3
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$0 $/ピース
SQJ860EP-T1_GE3
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STF12N120K5
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$0 $/ピース
IPP60R120P7XKSA1
SI7460DP-T1-E3
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$0 $/ピース
AOD4286
DI9942T
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NTR4101PT1H
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$0 $/ピース
IRF1010ZPBF
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2N7002BKVL
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$0 $/ピース

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