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PJD60R620E_L2_00001

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600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO

非準拠

PJD60R620E_L2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.54000 $1.54
500 $1.5246 $762.3
1000 $1.5092 $1509.2
1500 $1.4938 $2240.7
2000 $1.4784 $2956.8
2500 $1.463 $3657.5
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.2A (Ta), 7A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 620mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 457 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 78W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

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NTMFS7D8N10GTWG
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