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PJD85N03_L2_00001

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30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

非準拠

PJD85N03_L2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.71000 $0.71
500 $0.7029 $351.45
1000 $0.6958 $695.8
1500 $0.6887 $1033.05
2000 $0.6816 $1363.2
2500 $0.6745 $1686.25
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 16A (Ta), 85A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 23 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2436 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 58W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

NTTFS4985NFTAG
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ZVN4424GQTA
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IRLR120TRLPBF
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SI4485DY-T1-GE3
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