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PJD8NA65A_L2_00001

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650V N-CHANNEL MOSFET

非準拠

PJD8NA65A_L2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.94000 $0.94
500 $0.9306 $465.3
1000 $0.9212 $921.2
1500 $0.9118 $1367.7
2000 $0.9024 $1804.8
2500 $0.893 $2232.5
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 7.5A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1245 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 140W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

NTD18N06T4G
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SIA459EDJ-T1-GE3
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SQS405EN-T1_GE3
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IV1Q12050T4
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NTMFSC004N08MC
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