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PJE8402_R1_00001

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20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

非準拠

PJE8402_R1_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.47000 $0.47
500 $0.4653 $232.65
1000 $0.4606 $460.6
1500 $0.4559 $683.85
2000 $0.4512 $902.4
2500 $0.4465 $1116.25
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 700mA (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 150mOhm @ 700mA, 4,5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 1.6 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 92 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 300mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-523
パッケージ/ケース SOT-523
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関連部品番号

SI1480DH-T1-GE3
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