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PJP10NA80_T0_00001

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800V N-CHANNEL MOSFET

compliant

PJP10NA80_T0_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.72000 $2.72
500 $2.6928 $1346.4
1000 $2.6656 $2665.6
1500 $2.6384 $3957.6
2000 $2.6112 $5222.4
2500 $2.584 $6460
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 10A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.15Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1517 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 180W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

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RSH070N05TB1
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