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PJP4NA65_T0_00001

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650V N-CHANNEL MOSFET

compliant

PJP4NA65_T0_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.15000 $1.15
500 $1.1385 $569.25
1000 $1.127 $1127
1500 $1.1155 $1673.25
2000 $1.104 $2208
2500 $1.0925 $2731.25
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.7Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 11.4 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 463 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 100W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

TSM80N950CI C0G
IXTA20N65X2
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IRFP3710PBF
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STD9NM60N
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MMSF4N01HDR2
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IRF9Z24PBF
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IRFS3307ZTRLPBF
SIR104DP-T1-RE3
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AOK20N60L

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