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PJQ4416EP_R2_00001

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PJQ4416EP_R2_00001

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJQ4416EP_R2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.58000 $0.58
500 $0.5742 $287.1
1000 $0.5684 $568.4
1500 $0.5626 $843.9
2000 $0.5568 $1113.6
2500 $0.551 $1377.5
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 11A (Ta), 30A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 11mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 16 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1117 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 26W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ DFN3333-8
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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関連部品番号

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SI2371EDS-T1-BE3
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